咨询/建议
YJQ40P03A
YANGJIE(扬杰)
DFN-8-EP(3.3x3.3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：40A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，20V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
YJQ40P03A
|
YANGJIE(扬杰科技)
|
DFN8_3.3X3.3MM
|
2000+:￥0.804 1000+:￥0.8241 500+:￥0.8576 100+:￥0.9246 30+:￥0.9581 1+:￥0.9916 |
0 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
YJQ40P03A
|
YANGJIE(扬杰)
|
DFN(3.3x3.3)
|
500+:￥1.65 150+:￥1.79 50+:￥1.92 5+:￥2.15 |
0 |
25+
|
在芯间
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，20V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 13 毫欧 @ 20A，20V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 40.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2152 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 32W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |