咨询/建议
Si7850DP-HXY
华轩阳
DFN5x6-8L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，导通电阻(RDS(on))：25mΩ@10V,15A
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
Si7850DP-HXY
|
HXY MOSFET(华轩阳电子)
|
DFN5x6-8L
|
5000+:￥0.5204 2500+:￥0.5325 500+:￥0.6211 150+:￥0.6662 50+:￥0.7023 5+:￥0.7868 |
2595 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,15A |