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PMZ600UNEYL
Nexperia(安世)
SC-101，SOT-883
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：600mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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PMZ600UNEYL
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Nexperia(安世)
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SOT883
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10000+:￥0.112 5000+:￥0.1288 1000+:￥0.1571 100+:￥0.2011 1+:￥0.2654 |
5000 |
-
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3天-5天
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唯样商城
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PMZ600UNEYL
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Nexperia(安世)
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DFN-1006-3
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10000+:￥0.12243 |
470000 |
23+24+
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1-3工作日发货
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硬之城
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PMZ600UNEYL
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Nexperia(安世)
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DFN-1006-3
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10000+:￥0.124 1+:￥0.137 |
10000 |
2年内
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圣禾堂
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PMZ600UNEYL
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Nexperia(安世)
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DFN-1006-3
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10000+:￥0.12896 1+:￥0.14248 |
9998 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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PMZ600UNEYL
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Nexperia(安世)
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SOT-883
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10000+:￥0.1362 5000+:￥0.145 1000+:￥0.1626 300+:￥0.1864 100+:￥0.216 10+:￥0.2751 |
7840 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 600mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 620 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21.3 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta），2.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |