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SI7145DP-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥5.41 1+:￥5.6 |
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3000+:￥5.6264 1+:￥5.824 |
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硬之城
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PowerPAKSO-8
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1000+:￥5.67 500+:￥5.76 100+:￥5.96 30+:￥6.4 10+:￥6.82 1+:￥7.51 |
4511 |
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SI7145DP-T1-GE3
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威世(VISHAY)
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PowerPAK-SO-8
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30000+:￥5.9411 6000+:￥6.4137 3000+:￥6.7513 800+:￥9.4518 200+:￥13.5026 10+:￥21.9755 |
15000 |
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油柑网
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Vishay(威世)
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SOIC-8
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3000+:￥5.951 1500+:￥6.16 750+:￥6.402 100+:￥7.051 7+:￥8.107 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 413 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 15660 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |