DMG2302UKQ-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.5512
1,560
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
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150+:¥0.6148

50+:¥0.6997

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SOT-23-3

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30000+:¥0.418

6000+:¥0.4513

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200+:¥0.95

10+:¥1.4725

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 2.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 130 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 660mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3