厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
---|
DMG2302UKQ-7
|
DIODES(美台)
|
SOT-23
|
500+:¥0.5512 150+:¥0.6148 50+:¥0.6997 5+:¥0.8694 |
1560 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
DMG2302UKQ-7
|
DIODES
|
SOT-23-3
|
500+:¥0.5828 150+:¥0.6473 50+:¥0.7359 5+:¥0.9062 |
4560 |
2502+
|
1工作日
|
云汉芯城
|
DMG2302UKQ-7
|
DIODES(美台)
|
SOT23
|
3000+:¥0.38 1+:¥0.407 |
0 |
-
|
立即发货
|
圣禾堂
|
DMG2302UKQ-7
|
美台(DIODES)
|
SOT-23
|
30000+:¥0.418 6000+:¥0.4513 3000+:¥0.475 800+:¥0.665 200+:¥0.95 10+:¥1.4725 |
0 |
-
|
油柑网
|
属性 | 属性值 |
---|---|
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 90 毫欧 @ 3.6A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) | 2.8 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 130 pF @ 10 V |
功率耗散(最大值) | 660mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |