SI2318DS-T1-E3-MS
MSKSEMI(美森科)
SOT-23
¥0.246335
11,330
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):4A,导通电阻(RDS(on)):36mΩ@10V;45mΩ@4.5V
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SI2318DS-T1-E3-MS
MSKSEMI(美森科)
SOT-23

6000+:¥0.2463

3000+:¥0.2529

500+:¥0.2859

150+:¥0.3025

50+:¥0.3244

5+:¥0.3685

11330

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SI2318DS-T1-E3-MS
MSKSEMI/台湾美森科

15000+:¥0.2875

3000+:¥0.2963

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SI2318DS-T1-E3-MS
MSKSEMI(美森科)
SOT-23

3000+:¥0.3135

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 4A
导通电阻(RDS(on)) 36mΩ@10V;45mΩ@4.5V