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SI7115DN-T1-GE3
VISHAY(威世)
PowerPAK1212-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.9A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SI7115DN-T1-GE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK1212-8
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3000+:￥1.6807 1200+:￥1.6979 600+:￥1.7405 10+:￥2.8416 1+:￥3.5136 |
2978 |
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华秋商城
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威世(VISHAY)
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PowerPAK1212-8
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30000+:￥1.7149 6000+:￥1.8514 3000+:￥1.9488 800+:￥2.7283 200+:￥3.8976 10+:￥6.3433 |
96000 |
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油柑网
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® 1212-8
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3000+:￥1.72 1+:￥1.81 |
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圣禾堂
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PowerPAK1212-8
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1000+:￥1.7542 500+:￥1.8522 100+:￥2.2736 30+:￥2.67 10+:￥3.03 1+:￥3.74 |
7472 |
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Vishay(威世)
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PowerPAK1212-8
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3000+:￥1.7888 1+:￥1.8824 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 295 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 42 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1190 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |