NX7002BKR
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0531
105,897
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
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NX7002BKR
Nexperia(安世)
SOT-23

21000+:¥0.0531

9000+:¥0.0573

3000+:¥0.0652

600+:¥0.0742

200+:¥0.0892

20+:¥0.1162

21300

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Nexperia(安世)
SOT-23-3

3000+:¥0.054

1+:¥0.068

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Nexperia(安世)
SOT-23-3

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NX7002BKR
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.0594

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3000+:¥0.0675

800+:¥0.0945

100+:¥0.135

20+:¥0.2198

13270

-
NX7002BKR
Nexperia(安世)
SOT23

3000+:¥0.0733

1500+:¥0.0843

1000+:¥0.1028

100+:¥0.1316

1+:¥0.1737

15035

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 270mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.8 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 23.6 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 310mW(Ta),1.67W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3