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SI2307CDS-T1-E3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SI2307CDS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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3000+:￥0.9554 500+:￥0.9977 150+:￥1.0926 50+:￥1.1686 5+:￥1.3461 |
4640 |
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立即发货
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立创商城
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SI2307CDS-T1-E3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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3000+:￥0.9966 500+:￥1.1461 150+:￥1.3952 50+:￥1.6942 5+:￥1.9932 |
0 |
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油柑网
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SI2307CDS-T1-E3
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VISHAY(威世)
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SOT-23(SOT-23-3)
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100+:￥1.036 30+:￥1.121 10+:￥1.19 5+:￥1.349 |
0 |
20+/21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 88 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta），1.8W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |