SI3585DV-T1-E3-VB
VBsemi(微碧)
TSOP-6
¥0.58429
690
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道+1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):5.5A;3.4A,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@10V;55mΩ@10V
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SI3585DV-T1-E3-VB
VBsemi(微碧半导体)
TSOP-6

6000+:¥0.5843

3000+:¥0.6197

500+:¥0.7275

150+:¥0.8597

50+:¥0.9657

5+:¥1.2129

690

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SI3585DV-T1-E3-VB
微碧半导体(VBsemi)
SOT-23-6

30000+:¥0.6491

6000+:¥0.7007

3000+:¥0.7376

800+:¥1.0326

100+:¥1.4752

20+:¥2.4009

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 5.5A;3.4A
导通电阻(RDS(on)) 22mΩ@10V;55mΩ@10V