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DMN6068SE-13
DIODES(美台)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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DMN6068SE-13
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DIODES(美台)
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SOT223
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4000+:￥0.53 1+:￥0.572 |
3234 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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DMN6068SE-13
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Diodes(美台)
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SOT-223-3
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4000+:￥0.5512 1+:￥0.59488 |
3229 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMN6068SE-13
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美台(DIODES)
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SOT-223-3
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40000+:￥0.583 8000+:￥0.6294 4000+:￥0.6625 1000+:￥0.9275 100+:￥1.325 20+:￥2.1565 |
3234 |
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油柑网
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DMN6068SE-13
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DIODES(美台)
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SOT223
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2500+:￥0.588 500+:￥0.659 50+:￥0.923 5+:￥1.204 |
3570 |
25+
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在芯间
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DMN6068SE-13
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DIODES(美台)
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SOT-223
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2500+:￥0.5995 500+:￥0.6655 150+:￥0.8138 50+:￥0.9327 5+:￥1.2101 |
3790 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 68 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 502 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |