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ASDM60N80KQ-R
ASDsemi(安森德)
TO-252-3
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：80A，导通电阻(RDS(on))：7.9mΩ@10V，耗散功率(Pd)：108W
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厂家型号
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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ASDM60N80KQ-R
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ASDsemi(安森德)
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TO-252-3
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5+:￥1.3773 50+:￥1.0824 150+:￥0.9561 500+:￥0.7325 2500+:￥0.6623 5000+:￥0.6201 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 108W |