FQD13N10LTM
UMW(友台半导体)
TO-252
¥0.7384
3,074
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,连续漏极电流(Id):10A,导通电阻(RDS(on)):142mΩ@10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
FQD13N10LTM
UMW(友台半导体)
TO-252

2500+:¥0.712

1+:¥0.77

2500

24+
立即发货
FQD13N10LTM
UMW(广东友台半导体)
TO-252

2500+:¥0.7384

1+:¥0.79768

2499

24+
1-2工作日发货
FQD13N10LTM(UMW)
UMW(友台半导体)
TO-252

5000+:¥0.7507

2500+:¥0.8017

500+:¥0.9292

150+:¥1.12

50+:¥1.273

5+:¥1.6299

575

-
立即发货
FQD13N10LTM
UMW(友台)
TO-252

2500+:¥0.7645

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 10A
导通电阻(RDS(on)) 142mΩ@10V