ZVP3310FTA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.62
22,583
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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ZVP3310FTA
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.62

1+:¥0.667

3142

2年内
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ZVP3310FTA
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.6448

1+:¥0.69368

3138

2年内
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ZVP3310FTA
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.682

6000+:¥0.7363

3000+:¥0.775

800+:¥1.085

200+:¥1.55

10+:¥2.5226

3142

-
ZVP3310FTA
Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.682

1500+:¥0.7337

200+:¥0.8426

50+:¥1.0967

3142

-
3天-15天
ZVP3310FTA
DIODES INCORPORATED

100+:¥0.6983

1+:¥0.8379

2680

2428
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 75mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 20 欧姆 @ 150mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 330mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3