LP3218DT1G
LRC(乐山无线电)
DFN2020-6S
¥0.221
8,162
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):12V,连续漏极电流(Id):8.2A,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@4.5V,7A
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LP3218DT1G
LRC(乐山无线电)
DFN 2020-6S

4000+:¥0.221

1+:¥0.25

5027

25+
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LP3218DT1G
LRC(乐山无线电)
DFN-6L(2x2)

4000+:¥0.22984

1+:¥0.26

925

25+
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LP3218DT1G
LRC(乐山无线电)
DFN 2020-6S

1000+:¥0.47

500+:¥0.51

100+:¥0.86

5+:¥1.12

2200

20+/21+
LP3218DT1G
LRC(乐山无线电)
DFN6_2X2MM_EP

2000+:¥0.415

1000+:¥0.4263

500+:¥0.4452

100+:¥0.4829

30+:¥0.5017

1+:¥0.5206

0

-
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LP3218DT1G
乐山无线电(LRC)
DFN2020-6S

40000+:¥0.4219

8000+:¥0.4554

4000+:¥0.4794

1000+:¥0.6712

300+:¥0.9588

10+:¥1.5604

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 12V
连续漏极电流(Id) 8.2A
导通电阻(RDS(on)) 18mΩ@4.5V,7A