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HYG800P10LR1D
HUAYI(华羿微)
TO-252-2L
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)：100V，连续漏极电流(Id)：20A，导通电阻(RDS(on))：110mΩ@4.5V，耗散功率(Pd)：75W
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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HYG800P10LR1D
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HUAYI(华羿微)
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TO-252-2L
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500+:￥0.7387 150+:￥0.8977 50+:￥1.0252 5+:￥1.3225 |
880 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 75W |