FDG6301N
onsemi(安森美)
SC-70-6
¥0.4653
41,059
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 N-通道(双),FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):25V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4 欧姆 @ 220mA,4.5V
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FDG6301N
onsemi(安森美)
SC-70-6

6000+:¥0.4653

3000+:¥0.4945

500+:¥0.5907

150+:¥0.6997

50+:¥0.7871

5+:¥0.991

9025

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立即发货
FDG6301N
ON(安森美)
SOT-323-6

3000+:¥0.57081

1000+:¥0.58141

500+:¥0.59201

100+:¥0.60208

10+:¥0.6095

1081

24+
现货
FDG6301N
ON SEMICONDUCTOR
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1+:¥1.078

953

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FDG6301N
安森美(onsemi)
SOT-363

15000+:¥5.9824

3000+:¥6.6471

1500+:¥9.173

30000

-
FDG6301N
onsemi(安森美)
SC-70-6

100+:¥0.354

30+:¥0.397

10+:¥0.455

1+:¥0.57

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 220mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4 欧姆 @ 220mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 9.5pF @ 10V
功率 - 最大值 300mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363