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DMG1016UDW-7
DIODES(美台)
SOT-363
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 和 P 沟道，FET 功能：逻辑电平门，漏源电压（Vdss）：20V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.07A，845mA，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 600mA，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMG1016UDW-7
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DIODES(美台)
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TSSOP6,SC88,SOT363
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3000+:￥0.2042 1200+:￥0.2143 600+:￥0.2254 100+:￥0.2369 10+:￥0.2728 |
3000 |
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华秋商城
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DMG1016UDW-7
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DIODES(美台)
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SOT363
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3000+:￥0.231 1+:￥0.26 |
2035 |
2年内
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圣禾堂
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DMG1016UDW-7
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Diodes(美台)
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SOT-363-6
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3000+:￥0.24024 1+:￥0.2704 |
2028 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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DMG1016UDW-7
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DIODES(美台)
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SOT-363
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300+:￥0.2666 100+:￥0.3105 10+:￥0.3984 |
1830 |
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立创商城
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DMG1016UDW-7
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DIODES INCORPORATED
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1+:￥0.3197 |
2023 |
2231
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.07A，845mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.74nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60.67pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 330mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |