DMC2700UDM-7
DIODES(美台)
SOT-26
¥0.346
45,466
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):20V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.34A,1.14A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 600mA,4.5V
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DMC2700UDM-7
DIODES(美台)
SOT26

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1+:¥0.371

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23+
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DMC2700UDM-7
Diodes(美台)
SOT-26-6

3000+:¥0.3536

1+:¥0.37856

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23+
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DMC2700UDM-7
DIODES(美台)
SOT-26

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50+:¥0.6

5+:¥0.7811

790

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Diodes(达尔)
SOT-26

3000+:¥0.4498

1500+:¥0.4823

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80+:¥0.6501

14893

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DMC2700UDM-7
Diodes(美台)
SOT-26-6

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1+:¥0.62192

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.34A,1.14A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60.67pF @ 16V
功率 - 最大值 1.12W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6