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DMN3032LFDB-7
DIODES(美台)
UDFN2020-6
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 N-通道（双），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：30V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.2A，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：30 毫欧 @ 5.8A，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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DMN3032LFDB-7
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DIODES(美台)
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U-DFN2020-6
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3000+:￥0.636 1+:￥0.684 |
5118 |
2年内
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圣禾堂
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Diodes(美台)
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U-DFN2020-B-6
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3000+:￥0.66144 1+:￥0.71136 |
5116 |
2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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Diodes(达尔)
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U-DFN2020-6(B 类)
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3000+:￥0.6996 1500+:￥0.7524 200+:￥0.8646 50+:￥1.122 |
5118 |
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3天-15天
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唯样商城
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DMN3032LFDB-7
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DIODES(美台)
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UDFN2020-6
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6000+:￥0.7172 3000+:￥0.7544 500+:￥0.8162 150+:￥0.9552 50+:￥1.0665 5+:￥1.3263 |
3095 |
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DMN3032LFDB-7
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美台(DIODES)
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U-DFN2020-6B
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30000+:￥0.7711 6000+:￥0.8325 3000+:￥0.8763 800+:￥1.2268 200+:￥1.7526 10+:￥2.8523 |
3000 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.2A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10.6nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |