咨询/建议
SSM3J56MFV,L3F
TOSHIBA(东芝)
SOT-723
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：800mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SSM3J56MFV,L3F
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-723
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1000+:￥0.2317 300+:￥0.262 100+:￥0.3024 10+:￥0.3832 |
2850 |
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立即发货
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立创商城
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SSM3J56MFV,L3F(B
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Toshiba(东芝)
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5000+:￥0.6464 4000+:￥0.6464 1000+:￥0.6961 500+:￥0.7657 300+:￥0.8552 130+:￥1.2458 |
7300 |
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3周-4周
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唯样商城
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SSM3J56MFV,L3F(T
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TOSHIBA(东芝)
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SOT-723-3
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150+:￥0.6932 50+:￥0.7891 5+:￥1.0128 |
25 |
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立即发货
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立创商城
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SSM3J56MFV,L3F
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东芝(TOSHIBA)
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SOT-723
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5000+:￥0.38 2500+:￥0.437 500+:￥0.475 150+:￥0.532 50+:￥0.646 5+:￥0.76 |
0 |
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油柑网
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SSM3J56MFV,L3F(T
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Toshiba(东芝)
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SOT-723-3
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2000+:￥0.4714 1000+:￥0.4923 500+:￥0.5215 100+:￥0.5841 20+:￥0.6466 5+:￥0.7092 |
0 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 800mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 390毫欧 @ 800mA，4.5V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 100 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |