WSD3050DN
WINSOK(微硕)
DFN-8(3x3)
¥0.62019
23,595
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):50A,导通电阻(RDS(on)):11mΩ@4.5V,10A
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渠道
WSD3050DN33
WINSOK(微硕)
DFN-8(3x3)

5000+:¥0.6202

2500+:¥0.6623

500+:¥0.8161

150+:¥0.9738

50+:¥1.1002

5+:¥1.395

5115

-
立即发货
WSD3050DN
WINSOK(微硕)
DFN 3x3-8

2500+:¥0.83

500+:¥0.95

50+:¥1.09

5+:¥1.23

13480

23+
WSD3050DN
Winsok(微硕)
DFN-8(3x3)

5000+:¥0.83695

300+:¥0.96683

100+:¥1.01754

30+:¥1.07312

10+:¥1.12384

1+:¥1.23013

5000

22+
现货
WSD3050DN
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN-8

5000+:¥0.8333

300+:¥0.8583

100+:¥0.8917

30+:¥1.075

10+:¥1.3

1+:¥1.5833

78

21+
1工作日
WSD3050DN
WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体
DFN-8

5000+:¥0.8333

300+:¥0.8583

100+:¥0.8917

30+:¥1.075

10+:¥1.3

1+:¥1.5833

410

21+
1工作日

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 11mΩ@4.5V,10A