NTF6P02T3G-VB
VBsemi(微碧)
SOT-223
¥1.21
152
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):35V,连续漏极电流(Id):6.2A,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V;48mΩ@4.5V
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NTF6P02T3G-VB
VBsemi(微碧半导体)
SOT-223

1000+:¥1.21

500+:¥1.28

100+:¥1.4

30+:¥1.68

10+:¥1.9

1+:¥2.42

152

-
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NTF6P02T3G-VB
VBsemi/微碧半导体
SOT-223

3000+:¥1.1361

500+:¥1.1854

300+:¥1.2348

10+:¥1.3336

400000

25+
3-4工作日
NTF6P02T3G-VB
VBsemi/微碧半导体
SOT-223

2500+:¥1.1361

500+:¥1.1854

100+:¥1.2348

20+:¥1.3336

400000

25+
4-6工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 35V
连续漏极电流(Id) 6.2A
导通电阻(RDS(on)) 40mΩ@10V;48mΩ@4.5V