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DMN3008SFG-7
DIODES(美台)
PowerDI3333-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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价格(含税)
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DIODES(美台)
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PowerDI3333-8
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2000+:￥0.89 1+:￥0.966 |
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PowerDI 3333-8
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20000+:￥0.9449 4000+:￥1.0201 2000+:￥1.0738 500+:￥1.5033 200+:￥2.1476 10+:￥3.4952 |
14000 |
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DIODES(美台)
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2500+:￥1.16 500+:￥1.28 150+:￥1.55 50+:￥1.77 5+:￥2.27 |
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DIODES INCORPORATED
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1+:￥1.376 |
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.6 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 86 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3690 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |