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CSD25501F3
TI(德州仪器)
LGA-3(0.6x0.7)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
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价格(含税)
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3-LGA（0.73x0.64）
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3000+:￥0.444 1+:￥0.475 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 76 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.05V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.33 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | -20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 385 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFLGA |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH |