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SQ2325ES-T1_GE3
VISHAY(威世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：840mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SQ2325ES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23-3
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3000+:￥1.15 1+:￥1.21 |
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2年内
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圣禾堂
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SQ2325ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.1856 1+:￥1.248 |
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2年内
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1-2工作日发货
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硬之城
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SQ2325ES-T1_GE3
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VISHAY(威世)
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SOT-23
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1000+:￥1.24 500+:￥1.33 100+:￥1.48 30+:￥1.8 10+:￥2.06 1+:￥2.66 |
1824 |
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立创商城
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SQ2325ES-T1_GE3
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威世(VISHAY)
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SOT-23
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30000+:￥1.254 6000+:￥1.3538 3000+:￥1.425 800+:￥1.995 200+:￥2.85 10+:￥4.6384 |
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油柑网
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SQ2325ES-T1_GE3
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Vishay(威世)
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SOT-23
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3000+:￥1.265 1500+:￥1.331 750+:￥1.419 100+:￥1.584 30+:￥1.98 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 840mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.77 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |