FDD5614P
MSKSEMI(美森科)
TO-252-2
¥0.77
12,266
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):15A,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@10V
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FDD5614P
MSKSEMI(美森科)
TO-252

2500+:¥0.77

1+:¥0.831

2896

24+
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FDD5614P
Msksemi(美森科)
TO-252-2

2500+:¥0.8008

1+:¥0.86424

2879

24+
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FDD5614P
MSKSEMI(美森科)
TO-252

2500+:¥0.847

1250+:¥0.9141

100+:¥1.0791

40+:¥1.408

2896

-
3天-15天
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TO-252-2

500+:¥0.9699

150+:¥1.2014

50+:¥1.3575

5+:¥1.7217

1305

-
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500+:¥1.97

100+:¥2.08

20+:¥2.41

1+:¥2.91

2290

22+/23+

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 15A
导通电阻(RDS(on)) 75mΩ@10V