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FDC658AP
onsemi(安森美)
SuperSOT-6
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDC658AP
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ON(安森美)
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SuperSOT-6
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3000+:￥0.78621 1000+:￥0.80081 500+:￥0.81541 100+:￥0.82928 10+:￥0.8395 |
102501 |
24+
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现货
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硬之城
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FDC658AP
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ON(安森美)
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SuperSOT-6
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3000+:￥1.04 1+:￥1.1024 |
482 |
待确认
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1-2工作日发货
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硬之城
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FDC658AP
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onsemi(安森美)
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SuperSOT-6
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1000+:￥1.2288 500+:￥1.2576 100+:￥1.5552 30+:￥1.76 10+:￥1.87 1+:￥2.12 |
1337 |
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立即发货
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立创商城
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FDC658AP
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onsemi(安森美)
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SOT23-6
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500+:￥1.27 100+:￥1.65 20+:￥1.86 1+:￥1.92 |
3000 |
21+/24+
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在芯间
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FDC658AP
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安森美(onsemi)
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SOT-23-6
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30000+:￥2.5605 6000+:￥2.7642 3000+:￥2.9097 800+:￥4.0736 200+:￥5.8194 10+:￥9.4711 |
81 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 8.1 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 470 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.6W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |