AOD2610E-HXY
华轩阳
TO-252-2L
¥0.77387
4,810
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):80A,导通电阻(RDS(on)):8.3mΩ@10V,45A
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AOD2610E-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
TO-252-2L

5000+:¥0.7739

2500+:¥0.8227

500+:¥0.9453

150+:¥1.1284

50+:¥1.2751

5+:¥1.6175

4810

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 80A
导通电阻(RDS(on)) 8.3mΩ@10V,45A