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BSP250,115
Nexperia(安世)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSP250,115
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Nexperia(安世)
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SOT-223
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1000+:￥1.5 1+:￥1.63 |
669 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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BSP250,115
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Nexperia(安世)
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SOT-223-3
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1000+:￥1.56 1+:￥1.6952 |
662 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSP250,115
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NEXPERIA
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TO-261-4, TO-261AA
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500+:￥1.6268 100+:￥1.6856 1+:￥1.813 |
4068 |
2329
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSP250,115
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Nexperia(安世)
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SOT-223-3
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1000+:￥1.71402 |
3000 |
24+
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1-3工作日发货
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硬之城
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BSP250,115
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Nexperia(安世)
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SOT223
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50+:￥1.793 30+:￥2.321 |
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3天-15天
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 250 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.65W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |