BSS87H6327FTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-89-3
¥0.70512
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):240 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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BSS87H6327FTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-89-4-2

1000+:¥0.678

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BSS87H6327FTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-89-3

1000+:¥0.70512

1+:¥0.76544

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BSS87H6327FTSA1
INFINEON
PG-SOT89-4

1000+:¥1.274

1+:¥1.3858

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Infineon(英飞凌)
SOT89-3

1000+:¥1.3122

500+:¥1.3759

100+:¥1.4651

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10+:¥1.7836

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英飞凌(INFINEON)
SOT-89-3

1000+:¥1.8533

500+:¥2.1313

100+:¥2.3166

30+:¥2.5946

10+:¥3.1506

1+:¥3.7066

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 260mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 260mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 108µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 5.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 97 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA