咨询/建议
2N7000TA
onsemi(安森美)
TO-92-2.54mm
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
2N7000TA
|
ON(安森美)
|
TO-92-2.54mm
|
4000+:￥0.36618 1000+:￥0.37298 500+:￥0.37978 100+:￥0.38624 10+:￥0.391 |
130786 |
25+
|
现货
|
硬之城
|
|
2N7000TA
|
onsemi(安森美)
|
TO-92-2.54mm
|
2000+:￥0.385 500+:￥0.434 150+:￥0.4952 50+:￥0.5769 5+:￥0.7401 |
3425 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
2N7000TA
|
ON(安森美)
|
TO-220AB
|
2000+:￥0.385 1+:￥0.426 |
1157 |
24+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
2N7000TA
|
ON(安森美)
|
TO-92-2.54mm
|
2000+:￥0.4004 1+:￥0.44304 |
1156 |
24+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
2N7000TA
|
ON(安森美)
|
TO-92-2.54mm
|
100+:￥0.5538 |
1157 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |