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FDN338P
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.6A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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FDN338P
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23
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1000+:￥0.7374 100+:￥0.7762 1+:￥0.8247 |
5779 |
2333
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现货最快4H发
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京北通宇
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FDN338P
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.7871 3000+:￥0.8406 500+:￥0.9297 150+:￥1.1412 50+:￥1.3032 5+:￥1.6812 |
2415 |
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立创商城
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FDN338P
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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500+:￥0.88 150+:￥1.07 50+:￥1.22 5+:￥1.58 |
3000 |
19+/22+
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在芯间
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FDN338P
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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15000+:￥1.1965 3000+:￥1.3294 1500+:￥1.8346 |
12050 |
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油柑网
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FDN338P
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ON(安森美)
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SuperSOT-3
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3000+:￥0.74 1+:￥0.798 |
84 |
25+
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 115 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 451 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |