ZVN3310FTA
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.6032
45,675
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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ZVN3310FTA
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.6032

1+:¥0.64896

11984

24+
1-2工作日发货
ZVN3310FTA
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.638

6000+:¥0.6888

3000+:¥0.725

800+:¥1.015

100+:¥1.45

20+:¥2.36

11985

-
ZVN3310FTA
Diodes(达尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.6556

1500+:¥0.704

200+:¥0.8096

50+:¥1.0516

11985

-
3天-15天
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DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.7853

500+:¥0.8546

150+:¥1.0105

50+:¥1.1354

5+:¥1.4268

3125

-
立即发货
ZVN3310FTA
DIODES(美台)
SOT23

1000+:¥0.812

501+:¥0.835

51+:¥1.218

1+:¥1.914

6594

17+/18+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 100mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 40 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 330mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3