IRFR3910TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
¥1.4352
15,751
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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IRFR3910TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)

2000+:¥1.4352

1+:¥1.508

6432

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IRFR3910TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252

1000+:¥1.45

500+:¥1.55

100+:¥1.72

30+:¥2.08

10+:¥2.38

1+:¥3.07

4670

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IRFR3910TRPBF
Infineon(英飞凌)
TO-252AA

100+:¥1.7205

30+:¥1.8135

10+:¥1.8445

1+:¥1.9995

232

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英飞凌(INFINEON)
TO-252

20000+:¥1.749

4000+:¥1.8881

2000+:¥1.9875

500+:¥2.7825

200+:¥3.975

10+:¥6.4693

4380

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IRFR3910TRPBF
INFINEON
TO-252-3

1+:¥3.083

37

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 115 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 44 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 640 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 79W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63