UM6K1N
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363
¥0.1784
54,466
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,连续漏极电流(Id):100mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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UM6K1N
CJ
SOT-363

3000+:¥0.1784

100+:¥0.1833

1+:¥0.1882

1650

2024/05
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UM6K1N
JSCJ(长晶)
SOT-363

5000+:¥0.1792

2000+:¥0.184

500+:¥0.192

300+:¥0.208

100+:¥0.224

1+:¥0.24

3000

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UM6K1N
长电/长晶(JCET)
SC-88(SOT-363)

30000+:¥0.1815

6000+:¥0.196

3000+:¥0.2063

800+:¥0.2888

100+:¥0.4126

20+:¥0.6715

1827

-
MOS场效应管 UM6K1N K1 SC-88(SOT-363) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V(UM6K1N)
CJ(江苏长电/长晶)
SC-88(SOT-363)

3000+:¥0.294

1000+:¥0.383

20+:¥0.442

5+:¥0.736

47979

22+/23+
UM6K1N
CJ(江苏长电/长晶)
SOT-363

300+:¥0.2513

100+:¥0.2909

10+:¥0.3701

10

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id) 100mA
阈值电压(Vgs(th)) 1.5V