BSS126IXTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3-5
¥0.31304
10,998
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):600 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21mA(Ta),不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):500 欧姆 @ 16mA,10V
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BSS126IXTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.301

1+:¥0.322

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SOT-23-3-5

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1+:¥0.33488

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SOT-23-3-5

500+:¥0.6215

150+:¥0.732

50+:¥0.8205

5+:¥1.0272

2545

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BSS126IXTSA1
INFINEON
PG-SOT23-3

5+:¥1.1506

2575

2032
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BSS126IXTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23

1+:¥0.8409

15

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 500 欧姆 @ 16mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.6V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 1.4 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 21 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3