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CSD88599Q5DC
TI(德州仪器)
VSON-22(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：2 个 N 通道（半桥），FET 功能：标准，漏源电压（Vdss）：60V，不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V，不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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CSD88599Q5DC
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TI(德州仪器)
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VSON-22(5x6)
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1000+:￥12.8772 500+:￥13.2594 100+:￥14.112 30+:￥16.28 10+:￥19.04 1+:￥22.17 |
2002 |
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立即发货
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立创商城
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CSD88599Q5DC
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TI(德州仪器)
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VSON-CLIP-22
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5000+:￥13.81368 1000+:￥14.00861 500+:￥14.20353 100+:￥14.37247 10+:￥14.5544 |
1230 |
21
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现货
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硬之城
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CSD88599Q5DC
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Texas Instruments
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2000+:￥14.2968 500+:￥14.812 10+:￥16.1 |
1500 |
21+
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3-5工作日
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云汉芯城
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CSD88599Q5DC
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Texas Instruments
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500+:￥17.2325 100+:￥17.69 10+:￥18.3 |
5900 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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CSD88599Q5DC
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Texas Instruments
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3000+:￥17.2704 2000+:￥17.733 1000+:￥18.1956 |
2000 |
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10-12工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.1 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4840pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 12W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 22-PowerTFDFN |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:China;Japan |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Chengdu, CN;Aizuwakamatsu, JP |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:Philippines External:Philippines;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Angeles City, PH External:2 |