咨询/建议
DMP21D0UFB4-7B
DIODES(美台)
X2-DFN1006-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：770mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
DMP21D0UFB4-7B
|
DIODES(美台)
|
X2-DFN1006-3
|
5000+:￥0.14 2500+:￥0.1467 500+:￥0.16 150+:￥0.1766 50+:￥0.1987 5+:￥0.243 |
22090 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
DMP21D0UFB4-7B
|
DIODES(美台)
|
X2-DFN1006-3
|
10000+:￥0.25 1+:￥0.272 |
820 |
23+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
DMP21D0UFB4-7B
|
Diodes(美台)
|
X2-DFN1006-3
|
10000+:￥0.26 1+:￥0.28288 |
819 |
23+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
DMP21D0UFB4-7B
|
美台(DIODES)
|
X2-DFN1006-3
|
100000+:￥0.275 20000+:￥0.297 10000+:￥0.3125 1000+:￥0.4375 100+:￥0.625 20+:￥1.0172 |
820 |
-
|
油柑网
|
|
|
DMP21D0UFB4-7B
|
Diodes(达尔)
|
X2-DFN
|
500+:￥0.4095 120+:￥0.4511 |
820 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 770mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 495 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1.54 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 80 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 430mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |