停产
AON7401
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
PDFN-8(3.3x3.3)
¥0.89606
0
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Ta),35A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
厂家型号
厂牌
封装
价格(含税)
库存
批次
交期
渠道
AON7401
AOS(美国万代)
DFN8_3X3MM_EP

100+:¥0.8961

30+:¥0.9441

10+:¥0.9601

1+:¥1.0401

0

-
立即发货
AON7401
AOS
DFN3x3-8L

5000+:¥2.26

1+:¥2.36

0

-
立即发货
AON7401
AOS
PDFN-8(3.3x3.3)

50000+:¥2.486

10000+:¥2.6838

5000+:¥2.825

1000+:¥3.955

300+:¥5.65

10+:¥9.1954

0

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AON7401
AOS
DFN-8

100+:¥11.95

30+:¥12.59

10+:¥13.21

1+:¥14.2

0

20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Ta),35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 14 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 39 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2600 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),29W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN