IRLML6401
BORN(伯恩半导体)
SOT-23-3L
¥0.154
10,743
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):12V,连续漏极电流(Id):4.3A,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@2.5V,2.5A
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IRLML6401
BORN(伯恩半导体)
SOT-23

3000+:¥0.154

1+:¥0.174

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IRLML6401
BORN(伯恩)
SOT-23

3000+:¥0.16016

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IRLML6401
BORN(伯恩半导体)
SOT-23-3L

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100+:¥0.2808

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BORN(伯恩)
SOT-23

200+:¥0.26

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2877

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IRLML6401
BORN/深圳伯恩半导体
SOT-23

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3000+:¥0.168

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25+
5-10工作日

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规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 12V
连续漏极电流(Id) 4.3A
导通电阻(RDS(on)) 85mΩ@2.5V,2.5A