DMP2160U-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.2046
63,170
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):20 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
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DMP2160U-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.2046

6000+:¥0.2209

3000+:¥0.2325

800+:¥0.3255

200+:¥0.465

10+:¥0.7568

39000

-
DMP2160U-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.208

1+:¥0.23504

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DMP2160U-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.2623

1200+:¥0.2904

600+:¥0.2934

100+:¥0.3349

10+:¥0.4179

2042

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Diodes(达尔)
SOT-23

3000+:¥0.2639

1500+:¥0.2977

200+:¥0.3432

100+:¥0.5317

8076

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DMP2160U-7
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.279

300+:¥0.3121

100+:¥0.3563

10+:¥0.4446

5980

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 627 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 1.4W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3