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DMN26D0UFB4-7-HXY
华轩阳
DFN1006-3L
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：20V，连续漏极电流(Id)：700mA，导通电阻(RDS(on))：350mΩ@4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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交期
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渠道
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DMN26D0UFB4-7-HXY
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HXY MOSFET(华轩阳电子)
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DFN1006-3L
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20000+:￥0.0895 10000+:￥0.0958 2000+:￥0.1091 600+:￥0.1225 200+:￥0.1448 20+:￥0.185 |
19660 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V |