SI2301-HXY
华轩阳
SOT-23
¥0.0513
2,600
场效应管(MOSFET)
数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,连续漏极电流(Id):3A,导通电阻(RDS(on)):87mΩ@4.5V,3A
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渠道
SI2301-HXY
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

21000+:¥0.0513

9000+:¥0.055

3000+:¥0.0618

600+:¥0.0724

200+:¥0.0855

20+:¥0.1092

2600

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 3A
导通电阻(RDS(on)) 87mΩ@4.5V,3A