DMN2400UV-7
DIODES(美台)
SOT-563
¥0.1967
29,620
场效应管(MOSFET)
FET 类型:2 N-通道(双),FET 功能:逻辑电平门,漏源电压(Vdss):20V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.33A,不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):480 毫欧 @ 200mA,5V
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DMN2400UV-7
美台(DIODES)
SOT-563

30000+:¥0.1967

6000+:¥0.2123

3000+:¥0.2235

800+:¥0.3129

100+:¥0.447

20+:¥0.7275

2971

-
DMN2400UV-7
DIODES(美台)
SOT563

3000+:¥0.212

1+:¥0.24

10340

23+
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DMN2400UV-7
Diodes(美台)
SOT-563-6

3000+:¥0.22048

1+:¥0.2496

9739

23+
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DMN2400UV-7
DIODES(美台)
SOT-563

300+:¥0.2622

100+:¥0.305

10+:¥0.3906

1070

-
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DMN2400UV-7
Diodes(达尔)
SOT-563

3000+:¥0.2756

1500+:¥0.312

200+:¥0.3588

100+:¥0.5551

9740

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.33A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 480 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 36pF @ 16V
功率 - 最大值 530mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666