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DMP3056LDM-7
DIODES(美台)
SOT-26
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.3A（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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DMP3056LDM-7
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DIODES(美台)
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SOT-26
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6000+:￥0.2266 3000+:￥0.242 500+:￥0.2727 150+:￥0.3112 50+:￥0.3625 5+:￥0.4651 |
8670 |
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立创商城
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SOT-26
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100+:￥0.309 30+:￥0.347 10+:￥0.396 5+:￥0.495 |
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20+/21+
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在芯间
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DIODES(美台)
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SOT26
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100+:￥0.4572 30+:￥0.4817 10+:￥0.4898 1+:￥0.5307 |
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华秋商城
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DMP3056LDM-7
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DIODES(美台)
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3000+:￥0.255 1+:￥0.288 |
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Diodes(美台)
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3000+:￥0.2652 1+:￥0.29952 |
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1-2工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 21.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 948 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |