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ISC011N06LM5ATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：37A（Ta），288A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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ISC011N06LM5ATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥12.36 1+:￥12.61 |
4166 |
25+
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圣禾堂
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ISC011N06LM5ATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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1000+:￥15.5 500+:￥15.62 100+:￥15.89 30+:￥16.47 10+:￥17.04 1+:￥18.0 |
2397 |
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立创商城
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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1000+:￥20.04 500+:￥23.046 100+:￥25.05 30+:￥28.056 10+:￥34.068 1+:￥40.08 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 37A（Ta），288A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.15 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 116µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 170 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11000 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），188W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |