2N7002AQ-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.16848
22,809
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
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2N7002AQ-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.165

1+:¥0.186

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2N7002AQ-7
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.16848

1+:¥0.18928

4840

24+
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2N7002AQ-7
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

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4080

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DIODES(美台)
SOT-23

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100+:¥0.2604

10+:¥0.324

8710

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2N7002AQ-7
Diodes(达尔)
SOT-23-3

3000+:¥0.2475

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 欧姆 @ 115mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 23 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 370mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3