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DMP22D4UFA-7B
DIODES(美台)
X2-DFN0806-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：20 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：330mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.2V，4.5V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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DMP22D4UFA-7B
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DIODES(美台)
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X2-DFN0806-3
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5000+:￥0.1524 2500+:￥0.1555 500+:￥0.1616 150+:￥0.1693 50+:￥0.1796 5+:￥0.2001 |
4730 |
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立创商城
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DIODES(美台)
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10000+:￥0.2 1+:￥0.22 |
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圣禾堂
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Diodes(美台)
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10000+:￥0.208 1+:￥0.2288 |
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硬之城
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美台(DIODES)
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100000+:￥0.22 20000+:￥0.2375 10000+:￥0.25 1000+:￥0.35 100+:￥0.5 20+:￥0.8138 |
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油柑网
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Diodes(达尔)
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10000+:￥0.24 500+:￥0.2632 130+:￥0.3952 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 330mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.9 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 28.7 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |