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SI7489DP-T1-E3
VISHAY(威世)
PowerPAK-SO-8
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：28A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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SI7489DP-T1-E3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK-SO-8
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500+:￥5.89 100+:￥6.36 30+:￥7.39 10+:￥8.4 1+:￥10.02 |
745 |
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立即发货
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立创商城
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Vishay(威世)
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SO-8
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3000+:￥6.136 1+:￥6.6872 |
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23+
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1-2工作日发货
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硬之城
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Vishay(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥6.49 1500+:￥7.073 750+:￥7.359 100+:￥8.096 6+:￥9.306 |
10218 |
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3天-15天
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VISHAY
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PowerPAK SO-8
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200+:￥7.0109 1+:￥7.155 |
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2307
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现货最快4H发
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京北通宇
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Vishay(威世)
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PowerPAK® SO-8
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1000+:￥16.8747 500+:￥16.9417 300+:￥17.028 100+:￥17.4592 50+:￥18.1012 30+:￥18.954 10+:￥23.247 4+:￥41.6931 |
1920 |
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3周-4周
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 28A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 41 毫欧 @ 7.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 160 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4600 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 5.2W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |